CMOS 器件的問鎖效應( latch-up) 是嚴重影響 CMOS 電路安全使用的失效機理。在掃描電鏡中的靜態電壓襯度和閃頻電壓襯度可以觀察分析整個電路中哪些部分發生了|習鎖現象。發生問鎖效應時,有關寄生晶體管呈導通狀,大電流流過寄生 PN 通道中的阱 與襯底,造成在 P 阱里有較大的電位升高,同時 N 襯底的電位降低。...
因此,可控制中子輻射損傷和選用合適的退火工藝消除內部缺陷,提高 NTD 硅單晶質量。7. 半導體材料中的動力學現象如擴散和相變具有很重要的意義 用掃描電鏡跟蹤鋁薄膜條在大電流密度下的電遷移行為,便可以得到有關空洞移動和熔化解潤失效的細節。此外,利用 X 射線顯微分析技術也可以對半導體材料進行各種 成分分析。...
因此,在設計高性能認知無線電信號傳感器芯片等通信用集成電路時,面臨的主要障礙是實現信號(波形)識別處理的超高性能和能效。CLASIC是DARPA“自適應射頻技術”(ART)項目的一部分,目標是實現單片、高性能、超高能效、信號識別集成電路(IC),滿足認知通信、雷達和電子戰等領域用下一代軍用微系統使用需求。...
;工藝:用膜工藝制作無源元件,用半導體IC或晶體管制作有源器件。...
Copyright ?2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP備07018254號 京公網安備1101085018 電信與信息服務業務經營許可證:京ICP證110310號