軍用CMOS電路用抗輻射硅單晶片規范 是非強制性國家標準,您可以免費下載前三頁
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CMOS 器件的問鎖效應( latch-up) 是嚴重影響 CMOS 電路安全使用的失效機理。在掃描電鏡中的靜態電壓襯度和閃頻電壓襯度可以觀察分析整個電路中哪些部分發生了|習鎖現象。發生問鎖效應時,有關寄生晶體管呈導通狀,大電流流過寄生 PN 通道中的阱 與襯底,造成在 P 阱里有較大的電位升高,同時 N 襯底的電位降低。...
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