氮化鎵(GaN)是一種寬禁帶半導體,第三代半導體的典型代表。與第一代半導體硅基的器件相比,GaN器件具有更高耐壓、更快開關頻率、更小導通電阻等特性,在功率電子器件領域得到廣泛應用。相關研究顯示,GaN器件適用于68%的功率器件市場;在功率轉換電路中應用GaN器件可消除整流器在進行交直流轉換時90...
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