半導體 光催化 氧化
本專題涉及半導體 光催化 氧化的標準有109條。
國際標準分類中，半導體 光催化 氧化涉及到陶瓷、表面處理和鍍涂、半導體分立器件、空氣質量、集成電路、微電子學、電子元器件綜合、半導體材料、建筑材料。
在中國標準分類中，半導體 光催化 氧化涉及到催化劑、半導體分立器件綜合、特種陶瓷、、半導體三極管、半導體集成電路、敏感元器件及傳感器、電工絕緣材料及其制品、日用玻璃、陶瓷、搪瓷、塑料制品綜合。
英國標準學會，關于半導體 光催化 氧化的標準
- BS ISO 22601:2019 精細陶瓷（先進陶瓷、先進技術陶瓷） 總有機碳（TOC）定量分析測定半導體光催化材料苯酚氧化分解性能的試驗方法
- BS PD CEN/TS 16599:2014 光催化. 半導體材料光催化性能試驗的輻照條件以及此類條件的測量
- BS ISO 19722:2017 精細陶瓷(高級陶瓷, 高級工業陶瓷). 采用溶氧消耗法測定半導體光催化材料光催化活性的試驗方法
- BS ISO 22197-1:2016 精細陶瓷（先進陶瓷、先進技術陶瓷） 半導體光催化材料空氣凈化性能的測試方法 去除一氧化氮
- BS ISO 22197-1:2008 精細陶瓷(高級陶瓷,高級工業陶瓷).半導體光催化材料的空氣凈化性能用試驗方法.一氧化氮的移除
- BS EN 62416:2010 半導體器件.金屬氧化物半導體(MOS)晶體管的熱載流子試驗
- BS ISO 10677:2011 精細陶瓷(高級陶瓷,高級技術陶瓷).半導體光催化材料測試用紫外光源
- BS ISO 17168-1:2018 精細陶瓷（先進陶瓷、先進技術陶瓷） 室內照明環境下半導體光催化材料空氣凈化性能測試方法一氧化氮的去除
- BS IEC 60747-8-4:2004 半導體分立器件.電力開關設備的金屬氧化物半導體場效應晶體管
- BS ISO 10676:2011 精細陶瓷(高級陶瓷,高級工業陶瓷).用形成活性氧的能力測量半導體光催化材料的水凈化性能的試驗方法
- BS ISO 27447:2019 精細陶瓷（先進陶瓷、先進技術陶瓷） 半導體光催化材料抗菌活性測試方法
- BS ISO 22197-2:2019 精細陶瓷（先進陶瓷、先進技術陶瓷） 半導體光催化材料空氣凈化性能測試方法去除乙醛
- BS ISO 22197-4:2021 精細陶瓷（先進陶瓷、先進技術陶瓷） 半導體光催化材料空氣凈化性能的測試方法 除甲醛
- BS ISO 10676:2010 精細陶瓷（先進陶瓷、先進技術陶瓷） 活性氧形成能力測定半導體光催化材料凈水性能的測試方法
- BS ISO 13125:2013 精細陶瓷(高級陶瓷、高級工藝陶瓷).半導體光催化材料抗真菌作用試驗方法
- BS ISO 19635:2016 精細陶瓷 (高級陶瓷, 高級工業陶瓷). 半導體光催化材料抑藻活性的試驗方法
- BS ISO 22197-3:2019 精細陶瓷（先進陶瓷、先進技術陶瓷） 半導體光催化材料空氣凈化性能測試方法甲苯的去除
國際標準化組織，關于半導體 光催化 氧化的標準
- ISO 22601:2019 精細陶瓷（高級陶瓷 高級工業陶瓷）.通過定量分析總有機碳（TOC）測定半導體光催化材料苯酚氧化分解性能的試驗方法
- ISO 19722:2017 精細陶瓷(高級陶瓷, 高級工業陶瓷). 采用溶氧消耗法測定半導體光催化材料光催化活性的試驗方法
- ISO 22197-1:2016 精細陶瓷(高級陶瓷, 高級工業陶瓷). 半導體光催化材料空氣凈化性能試驗方法. 第1部分: 一氧化氮凈化
- ISO 22197-1:2007 精細陶瓷(高級陶瓷、高級工業陶瓷).半導體光催化材料的空氣凈化性能用試驗方法.第1部分:氧化一氮的移除
- ISO 10676:2010 精細陶瓷(高級陶瓷,高級工藝陶瓷).利用活性氧形成能力測定半導體光催化材料的水凈化性能的測試方法
- ISO 17168-1:2018 精細陶瓷（高級陶瓷、高級工業陶瓷）.室內照明環境下半導體光催化材料空氣凈化性能的試驗方法.第1部分：一氧化氮的去除
- ISO 13125:2013 精細陶瓷(高級陶瓷,高級工藝陶瓷).半導體光催化材料抗真菌作用試驗方法
- ISO 19635:2016 精細陶瓷 (高級陶瓷, 高級工業陶瓷). 半導體光催化材料抑藻活性的試驗方法
- ISO 27447:2019 精細陶瓷（高級陶瓷 高級工業陶瓷）.半導體光催化材料抗菌活性的試驗方法
法國標準化協會，關于半導體 光催化 氧化的標準
- XP CEN/TS 16599:2014 光催化 確定照射條件以測試半導體材料的光催化性能
- XP B44-014*XP CEN/TS 16599:2014 光催化 用于測試半導體材料光催化性能的輻照條件和這些條件的測量
- NF ISO 10677:2011 技術陶瓷 用于測試半導體光催化材料的紫外光源
- NF ISO 14605:2013 技術陶瓷 在室內照明環境中測試半導體光催化材料的光源
- NF ISO 22197-4:2021 技術陶瓷 空氣凈化用半導體光催化材料性能測試方法 第4部分：除甲醛
- NF B44-103*NF ISO 10677:2011 細瓷（高級陶瓷、高級工業陶瓷）測試半導體光催化材料所用的紫外光源
- NF C80-203*NF EN 62417:2010 半導體器件.金屬氧化物半導體場效應管(MOSFETs)移動離子試驗
- NF EN 62417:2010 半導體器件 - 金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 的移動離子測試
- NF ISO 22197-5:2021 技術陶瓷 空氣凈化用半導體光催化材料性能試驗方法 第5部分：甲硫醇的去除
歐洲標準化委員會，關于半導體 光催化 氧化的標準
- PD CEN/TS 16599:2014 光催化.半導體材料光催化性能的輻照條件及這些條件的測定
- CEN/TS 16599:2014 光催化 測試半導體材料光催化性能的輻照條件以及這些條件的測量
日本工業標準調查會，關于半導體 光催化 氧化的標準
- JIS R 1708:2016 精細陶瓷（Advanced ceramics、advanced technical ceramics） 用溶解氧消耗量測定半導體光催化材料光催化活性的試驗方法
- JIS R 1750:2012 精細陶瓷 室內光環境下測試半導體光催化材料用光源
- JIS R 1712:2022 精細陶瓷（高級陶瓷、高級技術陶瓷） 半導體光催化材料抗藻活性試驗方法
德國標準化學會，關于半導體 光催化 氧化的標準
- DIN CEN/TS 16599:2014-07*DIN SPEC 7397:2014-07 光催化 測試半導體材料光催化性能的輻照條件以及這些條件的測量
- DIN ISO 22197-1:2018-12 精細陶瓷（先進陶瓷、先進技術陶瓷）-半導體光催化材料空氣凈化性能的測試方法-第1部分：一氧化氮的去除
- DIN ISO 22197-1:2018 精細陶瓷（先進陶瓷、先進技術陶瓷）半導體光催化材料空氣凈化性能試驗方法第1部分：一氧化氮去除（ISO 22197-1:2016）
- DIN EN 62417:2010-12 半導體器件 金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)的移動離子測試
- DIN ISO 22197-1:2016 精細陶瓷(高級陶瓷、高級工業陶瓷).半導體光催化材料的空氣凈化性能用試驗方法.第1部分:氧化一氮的移除(ISO 22197-1-2007)
未注明發布機構，關于半導體 光催化 氧化的標準
- DIN CEN/TS 16599:2014*DIN SPEC 7397:2014 光催化 測試半導體材料光催化性能的輻照條件以及這些條件的測量
- DIN ISO 22197-1 E:2015-01 精細陶瓷(高級陶瓷、高級工業陶瓷) 半導體光催化材料的空氣凈化性能用試驗方法 第1部分：氧化一氮的移除
- DIN ISO 22197-1 E:2018-03 精細陶瓷(高級陶瓷、高級工業陶瓷) 半導體光催化材料的空氣凈化性能用試驗方法 第1部分：氧化一氮的移除
SCC，關于半導體 光催化 氧化的標準
- DANSK DS/CEN/TS 16599:2014 光催化 測試半導體材料光催化性能的輻照條件以及這些條件的測量
- DIN CEN/TS 16599:2014 光催化 測試半導體材料光催化性能的輻照條件以及這些條件的測量
- BS ISO 22197-1:2007 精細陶瓷（先進陶瓷、先進技術陶瓷） 半導體光催化材料空氣凈化性能測試方法一氧化氮的去除
- AWWA ACE91065 利用光輔助異相催化氧化法銷毀消毒副產物前體
- 06/30156520 DC BS ISO 22197-1 精細陶瓷（高級陶瓷、高級技術陶瓷） 半導體光催化材料空氣凈化性能的試驗方法 一氧化氮的去除
- CEI EN 62417:2011 半導體器件 金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 的移動離子測試
- DANSK DS/EN 62417:2010 半導體器件 金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 的移動離子測試
- DIN ISO 22197-1 E:2018 精細陶瓷（先進陶瓷、先進技術陶瓷） 半導體光催化材料空氣凈化性能的測試方法 第1部分：一氧化氮的去除（ISO 22197-1:2016） 草案
- 09/30184783 DC BS ISO 10676 精細陶瓷（高級陶瓷、先進技術陶瓷）通過測量活性氧形成能力對半導體光催化材料水凈化性能的試驗方法
- 09/30186157 DC BS ISO 10677 精細陶瓷（高級陶瓷、先進技術陶瓷） 用于測試半導體光催化材料的紫外光源
- CEI 45-35:1997 半導體X射線光譜儀標準化測試方法
GSO，關于半導體 光催化 氧化的標準
- GSO ISO 19722:2021 精細陶瓷（先進陶瓷、先進技術陶瓷） 用溶解氧消耗測定半導體光催化材料光催化活性的試驗方法
- BH GSO ISO 19722:2022 精細陶瓷（先進陶瓷、先進技術陶瓷） 用溶解氧消耗測定半導體光催化材料光催化活性的試驗方法
- OS GSO ISO 10677:2015 精細陶瓷（先進陶瓷、先進技術陶瓷） 測試半導體光催化材料的紫外光源
- GSO ISO 10677:2015 微陶瓷（先進陶瓷、先進技術陶瓷） 用于測試光催化半導體材料的紫外光源
- GSO ISO 10676:2013 精細陶瓷（先進陶瓷、高級陶瓷） -通過測量形成活性氧的能力來測試半導體光催化材料的水凈化性能的方法
- GSO ISO 19635:2021 精細陶瓷（先進陶瓷、先進技術陶瓷）半導體光催化材料抗藻活性試驗方法
- BH GSO ISO 19635:2022 精細陶瓷（先進陶瓷、先進技術陶瓷）半導體光催化材料抗藻活性試驗方法
- OS GSO ISO 10676:2013 精細陶瓷（先進陶瓷、先進技術陶瓷） 活性氧形成能力測定半導體光催化材料凈水性能的試驗方法
美國國防后勤局，關于半導體 光催化 氧化的標準
- DLA SMD-5962-96665 REV D-2005 抗輻射互補金屬氧化物半導體晶體管對互補金屬氧化物半導體,或互補金屬氧化物半導體對互補金屬氧化物半導體電壓轉換機構,硅單片電路數字微電路
- DLA SMD-5962-94532-1994 64位微處理器,氧化物半導體微型電路
- DLA SMD-5962-77044 REV F-2005 硅單片無柵氧化物半導體數字微型電路
- DLA SMD-5962-96736-1996 的互補金屬氧化物半導體,硅單片電路數字微電路8-BIT雙向的互補金屬氧化物半導體或晶體管接口轉換器
歐洲電工標準化委員會，關于半導體 光催化 氧化的標準
- EN 62417:2010 半導體器件.金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)
中國團體標準，關于半導體 光催化 氧化的標準
- T/CECA 35-2019 金屬氧化物半導體氣體傳感器
- T/CIECCPA 007-2024 半導體工業氮氧化物排放要求
- T/QGCML 743-2023 半導體設備零部件陽極氧化工藝規范
- T/CASAS 006-2020 碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管通用技術規范
AENOR，關于半導體 光催化 氧化的標準
- UNE-ISO 22197-1:2012 精細陶瓷（高級陶瓷、高級技術陶瓷） 半導體光催化材料空氣凈化性能的測試方法 第1部分：去除一氧化氮
- UNE 127197-1:2013 評估浸泡在預制混凝土產品中的半導體光催化材料的空氣凈化性能的測試方法應用 第1部分：一氧化氮的去除
韓國科技標準局，關于半導體 光催化 氧化的標準
- KS L ISO 22197-1:2018 精細陶瓷（先進陶瓷 先進技術陶瓷） - 半導體光催化材料的空氣凈化性能測試方法 - 第1部分:去除一氧化氮
- KS L ISO 22197-1:2008 精細陶瓷(高級陶瓷、高級工業陶瓷).半導體光催化材料的空氣凈化性能用試驗方法.第1部分:氧化一氮的移除
- KS L ISO 22197-1:2022 精細陶瓷（高級陶瓷、高級工業陶瓷）.半導體光催化材料空氣凈化性能的試驗方法.第1部分:一氧化氮的去除
- KS L ISO 17168-1:2020 精細陶瓷（先進陶瓷 先進技術陶瓷） - 室內照明環境下半導體光催化材料空氣凈化性能試驗方法 - 第1部分:去除一氧化氮
- KS L ISO 10676:2012 精細陶瓷(高級陶瓷、高級工藝陶瓷).利用活性氧形成能力測定半導體光催化材料的水凈化性能的測試方法
- KS L ISO 27447-2011(2016) 精細陶瓷（高級陶瓷、高級工業陶瓷）半導體光催化材料抗菌活性試驗方法
- KS L ISO 27447-2011(2021) 精細陶瓷（高級陶瓷、高級工業陶瓷）－半導體光催化材料抗菌活性試驗方法
- KS L ISO 10676-2012(2022) 精細陶瓷（高級陶瓷、高級工業陶瓷）－用活性氧形成能力測定半導體光催化材料凈水性能的試驗方法
- KS L ISO 10676-2022 精細陶瓷（先進陶瓷、先進技術陶瓷） 活性氧形成能力測定半導體光催化材料凈水性能的試驗方法
KR-KS，關于半導體 光催化 氧化的標準
- KS L ISO 22197-1-2018 精細陶瓷（先進陶瓷 先進技術陶瓷） - 半導體光催化材料的空氣凈化性能測試方法 - 第1部分:去除一氧化氮
- KS L ISO 10677-2023 精細陶瓷（高級陶瓷、高級工藝陶瓷）半導體光催化材料測試用紫外光源
- KS L ISO 22197-1-2022 精細陶瓷（高級陶瓷、高級工業陶瓷）.半導體光催化材料空氣凈化性能的試驗方法.第1部分:一氧化氮的去除
- KS L ISO 17168-1-2020 精細陶瓷（先進陶瓷 先進技術陶瓷） - 室內照明環境下半導體光催化材料空氣凈化性能試驗方法 - 第1部分:去除一氧化氮
- KS L ISO 27447-2023 精細陶瓷（高級陶瓷、高級工業陶瓷）半導體光催化材料抗菌活性試驗方法
- KS L ISO 14605-2023 精細陶瓷（高級陶瓷、高級工藝陶瓷）室內照明環境下半導體光催化材料測試用光源
國際電工委員會，關于半導體 光催化 氧化的標準
- IEC 62417:2010 半導體器件.金屬氧化物半導體場效應管(MOSFETs)移動離子試驗
行業標準-電子，關于半導體 光催化 氧化的標準
- SJ 20025-1992 金屬氧化物半導體氣敏元件總規范
- SJ 20026-1992 金屬氧化物半導體氣敏元件測試方法
- SJ 20079-1992 金屬氧化物半導體氣敏元件.試驗方法
國家質檢總局，關于半導體 光催化 氧化的標準
- GB/T 15652-1995 金屬氧化物半導體氣敏元件總規范
- GB/T 15653-1995 金屬氧化物半導體氣敏元件測試方法
丹麥標準化協會，關于半導體 光催化 氧化的標準
- DS/EN 62417:2010 半導體器件 金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的移動離子測試
ES-UNE，關于半導體 光催化 氧化的標準
- UNE-EN 62417:2010 半導體器件 金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)的移動離子測試
(美國)軍事條例和規范，關于半導體 光催化 氧化的標準
- ARMY MIL-M-48646 NOTICE 1-1997 多片互補金屬氧化物半導體SCO/DLA數字化微電路
- ARMY MIL-M-48646-1986 多片互補金屬氧化物半導體SCO/DLA數字化微電路
- ARMY MIL-M-63530 NOTICE 1-1997 互補金屬氧化物半導體(邏輯)數字微電路
- ARMY MIL-M-63530 (1)-1987 互補金屬氧化物半導體(邏輯)數字微電路
- ARMY MIL-M-63530-1981 互補金屬氧化物半導體(邏輯)數字微電路
IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc.，關于半導體 光催化 氧化的標準
- IEEE 641-1987 金屬氮化物氧化物半導體陣列的標準定義和表征
立陶宛標準局，關于半導體 光催化 氧化的標準
- LST EN 62417-2010 半導體設備 金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的移動離子測試（IEC 62417:2010）
美國電氣電子工程師學會，關于半導體 光催化 氧化的標準
- ANSI/IEEE Std 641-1987 金屬氮化物氧化物半導體陣列的 IEEE 標準定義和表征
