DS/EN 62417:2010
半導體器件 金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的移動離子測試

Semiconductor devices - Mobile ion tests for metal-oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs)

標準號

DS/EN 62417:2010

發布

2010年

發布單位

丹麥標準化協會

當前最新

DS/EN 62417:2010

 

 

適用范圍

IEC 62417:2010 提供了晶圓級測試程序，用于確定金屬氧化物半導體場效應晶體管中氧化物層中的正移動電荷量。它適用于有源場效應晶體管和寄生場效應晶體管。移動電荷可能會導致微電子器件退化，例如通過改變 MOSFET 的閾值電壓或通過雙極晶體管中的基極反轉。

專題

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