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半導體為什么氧化
本專題涉及半導體為什么氧化的標準有11條。
國際標準分類中，半導體為什么氧化涉及到。
在中國標準分類中，半導體為什么氧化涉及到。
(美國)軍事條例和規范，關于半導體為什么氧化的標準
- ARMY MIL-PRF-55310/12 H-2009 晶體振蕩器(XO):方波為0.05兆赫-10兆赫的互補金屬氧化物半導體系列(CMOS)1型氣密封晶控振蕩器
- ARMY MIL-PRF-55310/37 A-2010 晶體振蕩器(XO):方波為500千赫-85兆赫的互補金屬氧化物半導體系列(CMOS)1型氣密封晶控振蕩器
- ARMY MIL-PRF-55310/27 D-2008 晶體振蕩器(XO):方波為1.0兆赫-85兆赫的高速互補金屬氧化物半導體系列(CMOS)1型氣密封晶控振蕩器
- ARMY MIL-PRF-55310/32 B-2008 晶體振蕩器(XO):方波為1.544赫茲-125兆赫的高級互補金屬氧化物半導體系列(CMOS)1型氣密封晶控振蕩器
- ARMY MIL-PRF-55310/31 A-2010 晶體振蕩器(XO):方波為0.75赫茲-200兆赫的高級互補金屬氧化物半導體系列(CMOS)1型氣密封晶控振蕩器
- ARMY MIL-PRF-55310/33 B-2010 晶體振蕩器(XO):方波為500千赫-85兆赫的高級互補金屬氧化物半導體系列(CMOS)1型氣密封晶控振蕩器
- ARMY MIL-PRF-55310/34 B-2010 晶體振蕩器(XO):方波為500千赫-150兆赫的低壓互補金屬氧化物半導體系列(CMOS)1型氣密封晶控振蕩器
- ARMY MIL-PRF-55310/38 A-2010 晶體振蕩器(XO):方波為500千赫-150兆赫的低壓互補金屬氧化物半導體系列(CMOS)1型氣密封晶控振蕩器
- ARMY MIL-PRF-55310/35 A-2010 晶體振蕩器(XO):方波為1兆赫-133兆赫的2.5伏低壓互補金屬氧化物半導體系列(CMOS)1型氣密封晶控振蕩器
- ARMY MIL-PRF-55310/36 A-2010 晶體振蕩器(XO):方波為1赫茲-100兆赫的1.8伏低壓互補金屬氧化物半導體系列(CMOS)1型氣密封晶控振蕩器
- ARMY MIL-PRF-55310/39 A-2010 晶體振蕩器(XO):方波為1兆赫-133兆赫的2.5伏低壓互補金屬氧化物半導體系列(CMOS)1型氣密封晶控振蕩器
