硅單晶

高純度晶體材料，具有完整晶格結構，主要成分為單質硅。作為半導體基礎材料，廣泛應用于電子器件制造，特別是集成電路芯片的生產。

硅單晶有關的標準

標準號 & 類別	標準名稱	發布
ASTM F397-02 試驗	硅棒兩電極探針法電阻率測試方法 Silicon rod two-electrode probe resistivity test method 電阻率	2002 美國材料與試驗協會
GB/T 12962-2015 試驗標準	硅單晶 Silicon single crystal	2017-01-01 國家質檢總局
GB/T 13389-1992 CF	摻硼磣磷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規程 Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped and phosphorus-doped silicon 電阻率	1992-02-19 國家質檢總局
GB/T 13389-2014 試驗/規范	摻硼摻磷摻砷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規程 Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped, phosphorus-doped, and arsenic-doped silicon	2014-12-31 國家質檢總局
GB/T 1551-2021 試驗/規范標準	硅單晶電阻率的測定直排四探針法和直流兩探針法 Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon—In-line four-point probe and direct current two-point probe method 電阻率	2021-05-21 國家質檢總局
GB/T 1557-2018 試驗	硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法 Test method for determining interstitial oxygen content in silicon by infrared absorption 紅外光譜法	2018-09-17 國家質檢總局
GB/T 29504-2013 規范	300mm 硅單晶 300 mm monocrystalline silicon 電阻率	2013-05-09 國家質檢總局
GB/T 30453-2013 試驗	硅材料原生缺陷圖譜 Metallographs collection for original defects of crystalline silicon 硅片	2013-12-31 國家質檢總局
GB/T 35306-2023 試驗	硅單晶中碳、氧含量的測定低溫傅立葉變換紅外光譜法 Determination of Carbon and Oxygen Content in Silicon Single Crystal Low Temperature Fourier Transform Infrared Spectroscopy	2023-08-06 國家質檢總局
GB/T 42263-2022	硅單晶中氮含量的測定二次離子質譜法 Determination of nitrogen content in silicon single crystal—Secondary ion mass spectrometry method 氮含量	2022-12-30 國家質檢總局