GB/T 13389-1992
摻硼磣磷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規程
Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped and phosphorus-doped silicon
GBT13389-1992, GB13389-1992
2015-09
- 標準號
- GB/T 13389-1992
- 別名
- GBT13389-1992, GB13389-1992
- 發布
- 1992年
- 總頁數
- 19頁
- 采用標準
- ASTM F723 EQV
- 發布單位
- 國家質檢總局
- 替代標準
- GB/T 13389-2014
- 當前最新
- GB/T 13389-2014
- 適用范圍
- 本標準規定了23℃時摻硼摻磷硅單晶電阻率和摻雜劑濃度間的換算方法。 本標準適用于摻雜劑濃度1012～1021cm-3（電阻率0.0001～10，000Ω·cm）摻硼硅單晶和1012～5×1020cm-3（電阻率0.0002～4，000Ω·cm）摻磷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度的換算，也可擴展到硅中激活能與硼、磷相似的其他摻雜劑。