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經過全球眾多科學家的不懈研究,人們對?ZnO?半導體的光、電、磁及壓電等特性有了深刻的理解,在紫外發光器件、紫外?激光器件、紫外光電探測器件、壓電器件、太陽能電池等領域的研究不斷取得重要進展,特別是ZnO基透明導電膜、薄膜晶體管已經在光電子領域大規模工業應用,在環境、生物、醫學領域也呈現了巨大的應用前景。...
國際電子聯合會半導體型號命名方法德國、法國、意大利、荷蘭、比利時等歐洲國家以及匈牙利、羅馬尼亞、南斯拉夫、波蘭等東歐國家,大都采用國際電子聯合會半導體分立器件型號命名方法。這種命名方法由四個基本部分組成,各部分的符號及意義如下:第一部分:用字母表示器件使用的材料。...
GB/T36357-2018 中功率半導體發光二極管芯片技術規范GB/T36358-2018 半導體光電子器件 功率發光二極管空白詳細規范GB/T36359-2018 半導體光電子器件 小功率發光二極管空白詳細規范GB/T36360-2018 半導體光電子器件 中功率發光二極管空白詳細規范GB/T36361-2018 LED加速壽命試驗方法GB/T36362-2018 LED應用產品可靠性試驗的點估計和區間估計...
目前科學家們正在解決光源的問題,以便在硅材料上做到光電集成。5、半導體超晶格和量子線、量子點器件半導體超晶格、量子線、量子點是低維結構,它們具有一些特殊的物理性質,如量子限制效應和電子運動的二維或一維特性,可以制成一些性能優異的器件,如:激光器、高電子遷移率器件、光雙穩器件、共振隧穿器件等。...
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