IEC 60749-28:2017
半導體器件. 機械和氣候試驗方法. 第28部分: 靜電放電(ESD)靈敏度試驗. 帶電器件模型(CDM). 器件級

Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 28: Electrostatic discharge (ESD) sensitivity testing - Charged device model (CDM) - device level

被代替

標準號

IEC 60749-28:2017

發布

2017年

發布單位

國際電工委員會

替代標準

IEC 60749-28:2022 RLV

當前最新

IEC 60749-28:2022 RLV

 

 

被代替標準

IEC 47/2362/FDIS:2017

適用范圍

IEC 60749 的這一部分建立了根據器件和微電路暴露于定義的場感應帶電器件模型 (CDM) 靜電放電 (ESD) 造成損壞或退化的敏感性（敏感性）來測試、評估和分類器件和微電路的程序。所有封裝半導體器件、薄膜電路、表面聲波 (SAW) 器件、光電器件、混合集成電路 (HIC) 以及包含任何這些器件的多芯片模塊 (MCM) 均應根據本文件進行評估。為了執行測試，設備被組裝成類似于最終應用中預期的封裝。本 CDM 文件不適用于插座放電模型測試儀。本文檔描述了場感應 (FI) 方法。另一種方法是直接接觸 (DC) 方法，如附錄 I 中所述。本文件的目的是建立一種測試方法，該方法將復制 CDM 故障并提供可靠、可重復的 CDM ESD 測試結果，無論設備如何類型。可重復的數據將允許對 CDM ESD 敏感度級別進行準確的分類和比較。

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