前面已介紹,倒裝片流入的平均電流值大致為10^4A/cm2。由此可知,缺陷的形成集中在電流密度高的部分。這里作為化合物的生長的例子,如圖6所示。Cu配線電流密度高的左側部分幾乎消失,而其化合物的生長卻很顯著。圖6 Pb3Sn的倒裝片接續部生成的電子遷移 (2.55×10^4A/cm2,155℃)倒裝...
一、問題的引出電子遷移長期以來用于研究半導體配線缺陷的形成機理及對策。伴隨著半導體配線的微細化,流過配線的電流值顯著上升。今天VLSI中的Al或Cu線寬為0.1μm、厚0.2μm的截面上,即使只通過1mA的電流,其電流密度也高達106A/cm2。面對如此大的電流密度,只要溫度稍有變化,也將很容易導致...
電子從左向右流動,使左側的界面金屬間化合物層變厚,反過來在右側的變薄。像這樣在+極側和-極側化合物的生長的差異,是因熱擴散和電子遷移擴散的和或差的不同所導致的,在左側由于熱造成的化合物生長的方向和由電子遷移擴散驅進的化合物生長的方向一致,因而化合物生長得厚,而在右側二者是相反的,因而生長的厚度薄...
鑒于Pb的毒性及各國禁Pb法令的出臺,研發可替代傳統Sn-Pb合金的無鉛釬料在世界范圍得到了廣泛關注。Sn-Zn系無鉛釬料憑借其合適的熔點、低廉的成本以及良好的力學性能,有望發展成為新一代的無鉛釬料。然而,二元Sn-Zn合金在潤濕性、高溫抗氧化性以及耐腐蝕性等方面的不足嚴重制約了該釬料體系的應用...
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