針對挑戰,浙江大學通過設計碳化硅單晶生長設備的新型熱場、發展碳化硅源粉的新技術、開發碳化硅單晶生長的新工藝,顯著提升了碳化硅單晶的生長速率,成功生長出了厚度達到 50 mm 的 6 英寸碳化硅單晶。而且碳化硅單晶的晶體質量達到了業界水平。...
記者今天從中國科學院上海硅酸鹽研究所獲悉,該所科技人員立足自主研發,在掌握直徑2英寸、3英寸碳化硅單晶生長技術之后,2月4日,成功生長出直徑4英寸4H晶型碳化硅單晶,這標志著我國碳化硅單晶生長技術達到了國際一流水平。 據介紹,碳化硅單晶是一種寬禁帶半導體材料,具有禁帶寬度大,飽和漂移速度高,臨界擊穿場強大,熱導率高等諸多特點,主要用于制作高亮度LED、二極管、MOSFET等器件。...
上圖 科研人員在測量6英寸碳化硅單晶襯底的尺寸(12月9日攝)。 下圖 中國科學院物理研究所陳小龍研究員在一幅演示碳化硅物理原理的圖表前展示6英寸碳化硅單晶襯底(12月17日攝)。...
圖1 6英寸碳化硅晶體和單晶襯底片 圖2 6英寸碳化硅單晶片的拉曼光譜(4H碳化硅單晶) 圖3 6英寸碳化硅單晶片的X射線搖擺曲線(半峰寬平均值僅27.2弧秒)...
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