<td id="ccaac"></td>

<table id="ccaac"><rt id="ccaac"></rt></table>

GB/T 11068-1989
砷化鎵外延層載流子濃度電容-電壓測量方法

Gallium arsenide epitaxial layer--Determination of carrier concentration--Voltage-capacitance method

GBT11068-1989, GB11068-1989

被代替

2006-11

GB/T 11068-1989 中，可能用到以下儀器

新款半導體材料擊穿電壓儀

新款半導體材料擊穿電壓儀

北京冠測精電儀器設備有限公司

半導體材料擊穿電壓儀

半導體材料擊穿電壓儀

北京冠測精電儀器設備有限公司

半導體材料擊穿電壓儀

半導體材料擊穿電壓儀

北京冠測精電儀器設備有限公司

DDJ半導體材料擊穿電壓儀

DDJ半導體材料擊穿電壓儀

北京冠測精電儀器設備有限公司

點擊查看大圖

標準號: GB/T 11068-1989
別名: GBT11068-1989
GB11068-1989
發布: 1989年
發布單位: 國家質檢總局
替代標準: GB/T 11068-2006
當前最新: GB/T 11068-2006

本標準規定了砷化鎵外延層載流子濃度電容-電壓法的測量方法。本標準適用于砷化鎵外延層及體材料中載流子濃度的測量。測量范圍：1×10¹⁴～5×10¹⁷cm^-3。

專題

載流子密度載流子密度砷化鎵中硼含量測量電容量程零點標準電容砷化鎵中碳濃度測試方法如何測量載流子的濃度怎么測量載流子濃度如何測量載流子濃度載流子濃度怎么測量測量載流子濃度的方法

GB/T 11068-1989相似標準

T/CASAS 002-2021 寬禁帶半導體術語 SJ 3248-1989 重摻砷化鎵和磷化銦載流子濃度的紅外反射測試方法 SJ 3244.2-1989 砷化鎵、磷化銦襯底與異質結外延層之間晶格失配的測量方法 SJ 3249.3-1989 半絕緣砷化鎵中鉻濃度的紅外吸收測試方法 SJ 3249.2-1989 半絕緣砷化鎵單晶中碳濃度的紅外吸收測試方法

GB/T 11068-1989 中可能用到的儀器設備

壓汞儀

Copyright ?2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP備07018254號京公網安備1101085018 電信與信息服務業務經營許可證：京ICP證110310號

<td id="ccaac"></td>

<table id="ccaac"><rt id="ccaac"></rt></table>