D、改變摻雜劑,用鎵代替硼 用摻稼的硅片制作的電池,沒有發現太陽電池的早期光致衰減現象,也是解決太陽電池早期光致衰減的辦法之一。E、使用摻磷的N型硅片代替摻硼的P型硅片 使用誥硅片也是解決電池初試光致衰減問題的方法之一但從目前產業化的絲網印刷誥電池工藝來看,誥電池在轉換效率和制造成本上還沒有優勢,一些關鍵工藝有待解決。...
多晶硅太陽電池的表面由于存在多種晶向,不如(100)晶向的單晶硅那樣能經由腐蝕得到理想的絨面結、構,因而對其表面進行各種處理以達減反射的作用也為近期研究目標,其中采用多刀砂輪進行表面刻槽,對10cmX10cm面積硅片的工序時間可降到30秒,具有了一定的實用潛力。多孔硅作為多晶硅太陽電池的減反射膜具有實用意義,其減反射的作用已能與雙重減反射膜相比,所得多晶硅電池的效率也能達到13。4%。...
目前,工業化生產用等離子干法腐蝕,在輝光放電條件下通過氟和氧交替對硅用途,去除含有擴散層的周邊。擴散后清洗的目的是去除擴散過程中形成的磷硅玻璃。6、沉積減反射層:沉積減反射層的目的在于減少表面反射,新增折射率。廣泛使用pECVD淀積SiN,由于pECVD淀積SiN時,不光是生長SiN作為減反射膜,同時生成了大量的原子氫,這些氫原子能對多晶硅片具有表面鈍化和體鈍化的雙重用途,可用于大批量生產。...
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