GB/T 4059-1983
硅多晶氣氛區熔磷檢驗方法
Polycrystalline silicon--Examination method--Zone-melting on phosphorus under controlled atmosphere
GBT4059-1983, GB4059-1983
2008-02
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- 標準號
- GB/T 4059-1983
- 別名
- GBT4059-1983
GB4059-1983 - 發布
- 1983年
- 發布單位
- 國家質檢總局
- 替代標準
- GB/T 4059-2007
- 當前最新
- GB/T 4059-2018
本標準適用于三氯氫硅及四氯化硅氫還原在細硅芯上沉積硅多晶所生長出來的硅多晶棒。檢測雜質濃度有效范圍0.02～20ppba。 N型電阻率范圍10～2000Ω·Cm。