ASTM F1190-99(2005)
未加偏壓的電子元件的中子照射標準指南

Standard Guide for Neutron Irradiation of Unbiased Electronic Components

被代替

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標準號

ASTM F1190-99(2005)

發布

1999年

發布單位

美國材料與試驗協會

替代標準

ASTM F1190-11

當前最新

ASTM F1190-18

 

 

適用范圍

半導體器件會被反應堆能譜中子永久損壞。這種損壞對電子元件性能的影響可以通過測量元件暴露于感興趣的中子注量范圍內的快中子之前和之后的電氣特性來確定。所得數據可用于設計能夠耐受該組件所表現出的退化的電子電路。本指南提供了一種方法，通過該方法可以以可重復的方式將硅和砷化鎵半導體器件暴露于中子輻照，并且該方法將允許對在不同設施處獲取的數據進行比較。對于硅和砷化鎵以外的半導體，本指南提供了一種方法，可以提高測量的一致性，并確保當適用的經過驗證的 1-MeV 損傷函數編入國家標準時，可以在相同的等效注量尺度上比較來自不同設施的數據。標準。在缺乏經過驗證的 1-MeV 損傷函數的情況下，非電離能量損失 (NIEL) 作為入射中子能量的函數，標準化為 1 MeV 的 NIEL，可用作近似值。有關方法的說明，請參閱實踐 E 722。
1.1 本指南嚴格僅適用于無偏硅 (SI) 或砷化鎵 (GaAs) 半導體元件（集成電路、晶體管和二極管）暴露于核反應堆中子輻射的情況源來確定組件的永久性損壞。國家標準中規定的經過驗證的 1-MeV 損傷函數目前不適用于其他半導體材料。
1.2 本指南中指出的偏差的元素也可能適用于由其他材料組成的半導體的暴露，但規定的經過驗證的 1-MeV 損傷函數除外目前尚無國家標準。
1.3 本指南僅涉及暴露條件。應使用適當的電氣測試方法來確定輻射對測試樣品的影響。
1.4 本指南解決與反應堆能譜中子輻照有關的問題和擔憂。
1.5 本指南不包括系統和子系統暴露和測試方法。
1.6 本指南指南適用于以脈沖或穩態模式運行的反應堆進行的輻照。位移損傷半導體測試中中子注量的關注范圍約為 109 至 1016 n/cm 2.1.7 本指南不涉及中子引起的單個或多個中子事件效應或瞬態退火。
1.8 本指南提供了測試的替代方案方法 1017.3，中子位移測試，MIL-STD-883 和 MIL-STD-750 的組成部分。國防部已將這些 MIL-STD 的使用限制在 1995 年及之前的項目中。該標準并不旨在解決與其使用相關的所有安全問題（如果有）。本標準的使用者有責任在使用前建立適當的安全和健康實踐并確定監管限制的適用性。