ASTM F1190-99(2005)
未加偏壓的電子元件的中子照射標準指南

Standard Guide for Neutron Irradiation of Unbiased Electronic Components

被代替

未加偏壓的電子元件的中子照射標準指南 不是強制性中國國家標準，您可以免費下載預覽頁

說明：

此圖僅顯示與當前標準最近的5級引用；
鼠標放置在圖上可以看到標題編號；
此圖可以通過鼠標滾輪放大或者縮小；
表示標準的節點，可以拖動；
綠色表示標準：ASTM F1190-99(2005) ，綠色、紅色表示本平臺存在此標準，您可以下載或者購買，灰色表示平臺不存在此標準；
箭頭終點方向的標準引用了起點方向的標準。

標準號: ASTM F1190-99(2005)
發布: 1999年
發布單位: 美國材料與試驗協會
替代標準: ASTM F1190-11
當前最新: ASTM F1190-18

半導體器件會被反應堆能譜中子永久損壞。這種損壞對電子元件性能的影響可以通過測量元件暴露于感興趣的中子注量范圍內的快中子之前和之后的電氣特性來確定。所得數據可用于設計能夠耐受該組件所表現出的退化的電子電路。本指南提供了一種方法，通過該方法可以以可重復的方式將硅和砷化鎵半導體器件暴露于中子輻照，并且該方法將允許對在不同設施處獲取的數據進行比較。對于硅和砷化鎵以外...

ASTM F1190-99(2005)相似標準

ASTM F1190-18 中子照射無偏電子元件的標準指南 ASTM F1190-11 無偏電子元件中子輻照的標準指南 ASTM E3398-23 數字中子射線照相的標準指南 ASTM E748-16 材料熱中子射線照相術的標準指南 ASTM E748-19 材料的熱中子射線照相術的標準指南

ASTM F1190-99(2005)未加偏壓的電子元件的中子照射標準指南

Standard Guide for Neutron Irradiation of Unbiased Electronic Components

被代替

說明：

ASTM F1190-99(2005)相似標準

ASTM F1190-99(2005)
未加偏壓的電子元件的中子照射標準指南