1.1 本測試方法涵蓋使用共線四探針陣列測量金屬薄膜的方塊電阻。它旨在與厚度在 0.01 至 100 μm 之間的矩形金屬薄膜一起使用,通過材料沉積或減薄工藝形成并由絕緣基板支撐,薄層電阻范圍為 10 至 10 Ω/ [開箱](見3.1.3)。 1.2 本測試方法適用于裁判測量目的以及常規驗收測量。 1.3 以Si單位表示的數值應視為標準。括號中給出的值僅供...
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