T/IAWBS 008-2019
SiC晶片的殘余應力檢測方法
Experimental method for residual stress in SiC wafers
- 標準號
- T/IAWBS 008-2019
- 發布
- 2019年
- 發布單位
- 中國團體標準
- 當前最新
- T/IAWBS 008-2019
- 適用范圍
- 近年來，以碳化硅(SiC)為代表的第三代半導體材料引發全球矚目。由于其具有禁帶寬、擊穿電場強度高、飽和電子遷移率高、熱導率大、介電常數小、抗輻射能力強等優點，可廣泛應用于新能源汽車、軌道交通、智能電網、半導體照明、新一代移動通信、消費類電子等領域，被視為支撐能源、交通、信息、國防等產業發展的核心技術，全球市場容量未來將達到百億美元，已成為美國、歐洲、日本半導體行業的重點研究方向之一。? 與傳統硅基晶圓類似，碳化硅晶圓的制造工藝中也會產生殘余應力，過大的殘余應力除了會造成晶圓翹曲、斷裂等失效問題外，還會因壓阻效應影響碳化硅晶圓電性能，因此，精確測量制造工藝過程中SiC晶圓的殘余應力，對于提高產品良率和電性能，具有重要的意義。
專題
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