閂鎖狀態下器件在電源與地之間形成短路,造成大電流、過電應力和器件損壞通信接口集成電路的閂鎖失效(5)熱載流子效應(Hot Carrier Injection柵極電壓Vg小于漏極電壓Vd時,柵極絕緣膜下的溝道被夾斷,漏極附近電場增高;源極流經此區的電子成為熱電子,碰撞增多---漏極雪崩熱載流子;注入柵極二氧化硅膜中,使其產生陷阱和界面能級,閾值電壓增加,氧化層電荷增加或波動不穩,器件性能退化(6)與時間相關的介質擊穿...
擊穿電壓是使電介質擊穿的電壓。電介質在足夠強的電場作用下將失去其介電性能成為導體,稱為電介質擊穿,所對應的電壓稱為擊穿電壓。電介質擊穿時的電場強度叫擊穿場強。不同電介質在相同溫度下,其擊穿場強不同。當電容器介質和兩極板的距離d一定后,由U1-U2=Ed知,擊穿場強決定了擊穿電壓。擊穿場強通常又稱為電介質的介電強度。提高電容器的耐壓能力起關鍵作用的是電介質的介電強度。 ...
Copyright ?2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP備07018254號 京公網安備1101085018 電信與信息服務業務經營許可證:京ICP證110310號