T/ZSA 38-2020
SiC晶片的殘余應力檢測方法
Experimental method for residual stress in SiC wafers
T/ZSA 38-2020 中，可能用到以下儀器設備
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- 標準號
- T/ZSA 38-2020
- 發布
- 2020年
- 發布單位
- 中國團體標準
- 當前最新
- T/ZSA 38-2020
本文件規定了SiC晶片內部殘余應力的光學無損檢測方法。 本文件適用于晶片厚度適當，對波長400-700nm的可見光范圍內測試光的透過率在30%以上的SiC晶片。
專題
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