GB/T 42974-2023由國家質檢總局 CN-GB 發布于 2023-09-07，并于 2024-01-01 實施。
GB/T 42974-2023 在中國標準分類中歸屬于: L56 半導體集成電路，在國際標準分類中歸屬于: 31.200 集成電路、微電子學。
GB/T 42974-2023 半導體集成電路 快閃存儲器（FLASH）的最新版本是哪一版？
最新版本是 GB/T 42974-2023 。
1、DRAM(Dynamic Random Access Memory:動態隨機存取存儲器)2、SRAM(Static Random Access Memory:靜態隨機存取儲器)3、快閃式存儲器(Flash Memory)4、掩模ROM(mask Memory)5、FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory:強介電質存儲器)6、MRAM(Magnetic Random...
他于1967年在美國與姜大元博士共同發現浮柵存儲（FGM）效應，是廣泛應用的快閃存儲器之核心發明。在半導體設備，尤其是半導體接觸，微波器件和金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）技術的研發中，施敏的貢獻具有奠基性和開創性的意義。尤其是他參與研發的非易失性半導體存儲器（NVSM），影響深遠，隨之誕生了包括閃速儲存器和電可擦只讀儲存器（EEPROM）在內的大量儲存設備。...
然而，現有主流存儲器—內存（DRAM）和閃存（Flash），不能兼具高速與高密度特性，難以滿足指數型增長的數據存儲需要，急需發展下一代海量高速存儲技術。三維相變存儲器（PCRAM）是目前成熟的新型存儲技術，其核心是兩端開關單元和存儲單元，然而，商用的開關單元組分復雜，通常含有毒性元素，嚴重制約了三維相變存儲器在納米尺度的微縮以及存儲密度的進一步提升。 ...
與之相對應，靜態隨機存儲器（SRAM）、動態隨機存儲器（DRAM）、閃存（Flash）或硬盤（HDD）成為實現這三種存儲體系的傳統存儲技術。一臺電腦中，靜態隨機存儲器對應的是CPU內的存儲器，其特點是速度快，但容量小；動態隨機存儲器對應的是電腦主板上的內存條；閃存或者硬盤對應的就是電腦里的固態硬盤或者機械硬盤，其特點是速度慢，但容量大。前兩者屬于易失性存儲器，斷電數據就會丟失。...
Copyright ?2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP備07018254號 京公網安備1101085018 電信與信息服務業務經營許可證：京ICP證110310號