本文件規定了CMOS集成電路抗輻射(總劑量、單粒子)加固設計的流程、設計要求、建模仿真、驗證試驗要求。 本文件適用于基于體硅/SOICMOS工藝的數字集成電路、模擬集成電路和數模混合集成電路的抗輻射(總劑量、單粒子)加固設計。
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