ASTM F657-92(1999)
硅晶圓翹曲和總厚度變化（TTV）非接觸式掃描測試方法

Standard Test Method for Measuring Warp and Total Thickness Variation (TTV) on Silicon Wafers by Noncontact Scanning

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標準號: ASTM F657-92(1999)
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發布: 1992年
總頁數: 10頁
發布單位: 美國材料與試驗協會
當前最新: ASTM F657-92(1999)

引用標準: M 1

本體: 硅片

1.1 本測試方法采用非接觸式、非破壞性程序來確定自由（未夾緊）條件下清潔、干燥的硅片的翹曲和總厚度變化（TTV）。該過程使用三點背面參考平面來確定翹曲。 1.2 該測試方法適用于直徑為 50 毫米或以上、厚度為 100 微米（約 0.004 英寸）及以上的圓形硅片，與厚度變化和表面光潔度無關。該測試方法適用于具有相同物理特性的硅以外的半導體晶片。 1.3 ...

術語
中間面	median surface
厚度	thickness

ASTM F657-92(1999) 中提到的儀器設備

參考環不同直徑硅片專用，由熱膨脹系數低的金屬制成，底部表面加工至平面度為10 μin.。	用于定義參考平面和支持探針組件。
探針組件包含可移動參考環和固定探針組件，配備導向裝置和測量板。	用于同時掃描晶圓的前后表面，并測量其距離變化。

ASTM F657-92(1999)硅晶圓翹曲和總厚度變化（TTV）非接觸式掃描測試方法

Standard Test Method for Measuring Warp and Total Thickness Variation (TTV) on Silicon Wafers by Noncontact Scanning

ASTM F657-92(1999) 中提到的儀器設備

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