半導體的種類有哪些
一、N型半導體
N型半導體也稱為電子型半導體，即自由電子濃度遠大于空穴濃度的雜質半導體。
形成原理
摻雜和缺陷均可造成導帶中電子濃度的增高. 對于鍺、硅類半導體材料，摻雜Ⅴ族元素，當雜質原子以替位方式取代晶格中的鍺、硅原子時，可提供除滿足共價鍵配位以外的一個多余電子，這就形成了半導體中導帶電子濃度的增加，該類雜質原子稱為施主. Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的施主往往采用Ⅳ或Ⅵ族元素. 某些氧化物半導體，其化學配比往往呈現缺氧，這些氧空位能表現出施主的作用，因而該類氧化物通常呈電子導電性，即是N型半導體，真空加熱，能進一步加強缺氧的程度。
二、P型半導體
P型半導體一般指空穴型半導體，是以帶正電的空穴導電為主的半導體。
形成
在純凈的硅晶體中摻入三價元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半導體。在P型半導體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導電。由于P型半導體中正電荷量與負電荷量相等，故P型半導體呈電中性。空穴主要由雜質原子提供，自由電子由熱激發形成。
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