Centrotherm 高溫退火/氧化系統-Activator/Oxidator  150

Centrotherm 高溫退火爐系統-Activator 150

一、產品簡介

Centrotherm Activator 150 高溫爐設計用于SiC或GaN器件注入后退火。Centrotherm獨特工藝爐管和加熱系統設，允許工藝溫度達到 1850 ℃。

此外，Activator 150 系列的產品可以實現生長石墨烯生長。通過碳化硅升華生長石墨層可以獲得高性能器件。

Centrotherm 新一代SiC工藝爐管的研發用以滿足新興的150 毫米 SiC工藝。

Centrotherm Activator 150-5 是為研發工作而特制的，而Centrotherm Activator 150-50專為大批量生產設計。

廣泛的工藝范圍實現了對自定義化程序的優化, 例如溫度, 氣路系統和壓力。

二、典型應用

SiC器件高溫退火 （注入后）

GaN器件退火

大面積石墨烯生長

SiC表面制備

三、產品特性

性能和優勢

高活化效率

最小表面粗糙度

最大溫度可達 1850 ℃

占地面積小 [1.8m²]

升溫速率可達 100 K/min

批處理晶片尺寸包括 2″、3″、4″、6″

批處理數量達到 40片2″/或3″硅片, 50片4″/或6″硅片

真空度小于10^-3 mbar （可選）

可并排安裝

選項

上下料腔室微環境控制

自動機械手裝片

測溫熱偶

尺寸

點擊查看大圖

Centrotherm 高溫氧化系統-Oxidator 150

一、產品簡介

德國Centrotherm公司是國際主流的半導體設備供應商，尤其在高溫設備領域。Centrotherm Oxidator 150 經過專業的研發, 能夠滿足 SiC 圓片的高溫氧化工藝; 同時亦可用于常規的硅圓片的氧化。Centrotherm Oxidator 150 卓越的反應腔具有性能高、占地小和生產成本低等特點，為客戶提供最高的工藝靈活度, 同時能夠保證有毒氣體的安全使用。

設備特點：

爐管和加熱器均處于真空密閉反應腔內，上下料腔室可用Ar或 N2 進行吹掃，可以保證有毒氣體（如 NO、N2O、H2、NO2 等） 的安全使用。

  氧化工藝使用 N2O 氣氛，可以改善 SiO2/SiC 接觸表面以獲得更高的通道遷移率，同時可提高SiC表面氧化物的穩定性和壽命。

  提供帶有氫氧合成系統的濕氧工藝。

高達 1350 ℃ 的溫度和其他支持功能為 SiC 氧化工藝和低界面陷阱密度, 高通道移動率的氧化層研制提供可能。

二、適用工藝

高溫SiC或Si氧化

氧化后退火（氫氣環境）

三、產品特性

性能

圓片尺寸： 2″、3″、4″、6″

工藝溫度： 900 ℃ ~ 1350 ℃

真空度：  小于10^-3 mbar

占地面積小： 1.8m² 

真空密封反應腔

可以并排安裝

選項

氫氧合成用于濕氧

機械手裝片

測溫熱偶

尺寸

Centrotherm 高溫退火/氧化系統-Activator/Oxidator 150由北京亞科晨旭科技有限公司 為您提供，如您想了解更多關于 Centrotherm 高溫退火/氧化系統-Activator/Oxidator 150報價、參數等信息 ，歡迎來電或留言咨詢。

注：該產品未在中華人民共和國食品藥品監督管理部門申請醫療器械注冊和備案，不可用于臨床診斷或治療等相關用途。