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KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 制備 IFBA 芯塊 ZrB2 涂層
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下一篇 2021-03-11 15:38:37/ 個人分類:離子源
KRI 射頻離子源 RFICP380 技術參數:
射頻離子源型號 | RFICP380 |
Discharge 陽極 | 射頻 RFICP |
離子束流 | >1500 mA |
離子動能 | 100-1200 V |
柵極直徑 | 30 cm Φ |
離子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 15-50 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型壓力 | < 0.5m Torr |
長度 | 39 cm |
直徑 | 59 cm |
中和器 | LFN 2000 |

研究利用金相顯微鏡、掃描電子顯微鏡、X射線衍射儀、電感耦合等離子體發射光譜儀、膠帶粘附性剝離等方法測定了沉積 ZrB2 涂層的厚度、形貌、物相結構、成分、附著力以及沉積速率等性能參數, 研究了各濺射工藝條件如芯塊表面清潔度、濺射氣體壓力、濺射功率密度和轉鼓轉速對ZrB 涂層沉積率和附著力的影響.
KRI 離子源的獨特功能實現了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術的情況下是無法實現的.
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