不同電位影響52硝基吲哚電化學聚合的光譜分析

摘　要　三氟化硼乙醚+ 10 %乙醚體系中, 恒電位(1123～2123 V vs1 SCE) 條件下可以獲得高質量聚膜( PNI) , 這是首次獲得硝基取代高性能導電高分子膜材料。52硝基吲哚(NI) 的起始氧化電位為1104 V vs1SCE。電流2時間曲線、FTIR 和1 H NMR 結果均表明聚合電位對PNI 膜質量有較大影響。低電位有利于NI的聚合, 且有利于增加PNI 膜的共軛鏈長; 高電位會導致NI 的副反應, 從而降低PNI 膜的質量。同時紅外光譜和1 H NMR 研究表明, NI 的電化學聚合是通過2 , 3 位進行的。