α-Si3N4 單晶納米線的Fourier 變換紅外光譜和Raman 光譜分析

摘 要：將單晶硅片在流動的氨氣和氮氣混合氣體中加熱到1 250 ℃，不用催化劑，實現了大量高純度單晶Si3N4 納米線的生長。用X 射線衍射方法分析了所制備Si3N4 納米線的相結構，用掃描電子顯微鏡和高分辨透射電子顯微鏡觀察了其微觀形貌。Si3N4 納米線生長機理為氣–固機制。Fourier 變換紅外光譜與Raman 光譜分析表明：產物的吸收與振動模式呈現了典型的α-Si3N4 的特征；與α-Si3N4 塊體材料相比，部分峰位發生了藍移，也有幾個峰位發生了少許的紅移，這是α-Si3N4 納米材料小尺寸效應與表面效應的綜合體現。