LED芯片的結構

上一篇 / 下一篇 2014-12-25 15:51:33/ 個人分類：LED面板燈

LED芯片有兩種結構：

　　不剝離導電砷化鎵生長襯底：在導電砷化鎵生長襯底上層迭導電DBR反射層，生長 GaP 基LED外延層在導電DBR反射層上。

　　剝離砷化鎵生長襯底：層迭反射層在GaP基LED外延層上，鍵合導電支持襯底，剝離砷化鎵襯底。導電支持襯底包括，砷化鎵襯底，磷化鎵襯底，硅襯底，金屬及合金等。

　　另外，生長在硅片上的垂直GaN基LED也有兩種結構：

　　不剝離硅生長襯底：在導電硅生長襯底上層迭金屬反射層或導電DBR反射層，生長氮化鎵基LED外延層在金屬反射層或導電DBR反射層上。

　　剝離硅生長襯底：層迭金屬反射層在氮化鎵基LED外延層上，在金屬反射層上鍵合導電支持襯底，剝離硅生長襯底。

　　再簡單說明制造垂直氮化鎵基 LED 工藝流程：層迭反射層在氮化鎵基 LED 外延層上，在反射層上鍵合導電支持襯底，剝離藍寶石生長襯底。導電支持襯底包括，金屬及合金襯底，硅襯底等。
關鍵詞：LED面板燈,LED芯片結構,中安巨能照明