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記憶儲存

本專題涉及記憶儲存的標準有87條。

國際標準分類中，記憶儲存涉及到集成電路、微電子學、數據存儲設備、音頻、視頻和視聽工程、航空器和航天器綜合、攝影技術、航空航天制造用材料。

在中國標準分類中，記憶儲存涉及到微電路綜合、數據媒體、計算機應用、視頻、脈沖系統設備、半導體集成電路、混合集成電路、緊固件、計算機外圍設備、電影與攝影技術、航空與航天用金屬鑄鍛材料、電工絕緣材料及其制品。

美國國防后勤局，關于記憶儲存的標準

DLA SMD-5962-96902 REV F-2004 靜態隨機存儲器256K X 16-BIT混合記憶微電路
DLA SMD-5962-78015 REV H-2005 硅單片64比特雙極隨機存取存儲器,數字記憶微型電路
DLA SMD-5962-96901 REV D-2004 512K X 16-BIT靜態存儲器和可擦可編程只讀存儲器混合記憶微電路
DLA SMD-5962-96795 REV C-2004 256K X 16靜態隨機存儲寄存器硅單片電路數字記憶微電路
DLA SMD-5962-81015 REV C-2006 硅單片16千比特動態隨機存取存儲器,數字記憶微型電路
DLA SMD-5962-96889 REV A-2006 4M X 1動態隨機存取存儲器硅單片電路數字記憶微電路
DLA SMD-5962-89892 REV B-2007 硅單片,裝有OE16K X 4靜態隨機存取存儲器,數字記憶微型電路
DLA SMD-5962-84132 REV C-2005 硅單片16千字節靜態隨機存取存儲器,數字記憶微型電路
DLA SMD-5962-94549 REV D-2006 硅單片,256K X 16多口視頻隨機存取存儲器,數字記憶微型電路
DLA SMD-5962-92344-1993 硅單片,8K X 8可重調靜態隨機存取存儲器,數字記憶微型電路
DLA SMD-5962-92324 REV B-2006 硅單片,8K X 8非易失性靜態隨機存取存儲器,數字記憶微型電路
DLA SMD-5962-01529 REV A-2007 單片硅數字存儲器微電路CMOS 16K X 1個靜態隨機存取記憶體(SRAM)
DLA SMD-5962-93156 REV B-2000 128K X 8位靜態隨機存取存儲器,氧化物半導體記憶混合微型電路
DLA SMD-5962-93091 REV D-2005 512K X 8位電可擦除可編程只讀存儲器,記憶混合微型電路
DLA SMD-5962-89891 REV B-2007 硅單片,裝有OE及雙重CE16K X 4靜態隨機存取存儲器,數字記憶微型電路
DLA SMD-5962-89691 REV A-1990 硅單片,8K X 8 靜態隨機存取存儲器,氧化物半導體數字記憶微型電路
DLA SMD-5962-92312 REV A-2006 硅單片,4M X 4動態隨機存取存儲器,氧化物半導體數字記憶微型電路
DLA SMD-5962-89692 REV A-2006 硅單片,16K X 4 靜態隨機存取存儲器,氧化物半導體數字記憶微型電路
DLA SMD-5962-89690 REV A-2006 硅單片,2K X 8 靜態隨機存取存儲器,氧化物半導體數字記憶微型電路
DLA SMD-5962-89712 REV B-2007 硅單片,16K X 4BITS靜態隨機存取存儲器,氧化物半導體數字記憶微型電路
DLA SMD-5962-89883 REV B-1995 硅單片,8K X 9靜態隨機存取存儲器,氧化物半導體數字記憶微型電路
DLA SMD-5962-94611 REV R-2004 512K X 32位靜態隨機存取存儲器,氧化物半導體數字記憶混合微型電路
DLA SMD-5962-89694 REV C-2007 硅單片,16K X 4 靜態隨機存取存儲器,氧化物半導體數字記憶微型電路
DLA SMD-5962-90622 REV D-2007 硅單片,4M X 1動態隨機存取存儲器,氧化物半導體數字記憶微型電路
DLA SMD-5962-93225-1994 硅單片,64K X 4靜態隨機存取存儲器,氧化物半導體數字記憶微型電路
DLA SMD-5962-93157 REV G-2002 256K X 8位靜態隨機存取存儲器,氧化物半導體記憶混合及單片微型電路
DLA SMD-5962-84036 REV G-2005 硅單片,16千比特靜態隨機存取存儲器,氧化物半導體數字記憶微型電路
DLA SMD-5962-94599 REV B-2006 硅單片,在功率損耗上裝有自動儲存的8K X 8非易失性靜態隨機存取存儲器,數字記憶微型電路
DLA SMD-5962-92172-1993 硅單片,獨立I/O分址16K X 4靜態隨機存取存儲器,BICMOS數字記憶微型電路
DLA SMD-5962-02518-2003 數字記憶CMOS微電路256M X 8 BIT堆棧模具(2GBIT)同步內存(記憶體)模塊
DLA SMD-5962-02517 REV A-2004 數字記憶CMOS微電路128M X 8 BIT堆棧模具(1GBIT)同步內存(記憶體)模塊
DLA SMD-5962-93155 REV B-2005 256K X 8位電可擦除可程序化只讀存儲器,記憶混合微型電路
DLA SMD-5962-38294 REV H-2005 硅單片8千X8比特靜態隨機存取存儲器,氧化物半導體數字記憶微型電路
DLA SMD-5962-93154 REV A-2005 128K X 8位電可擦除可程序化只讀存儲器,記憶混合微型電路
DLA SMD-5962-93153 REV B-2006 硅單片,4K X 9雙口靜態隨機存取存儲器,氧化物半導體數字記憶微型電路
DLA SMD-5962-93056 REV B-2006 硅單片,8K X 8可重調靜態隨機存取存儲器,氧化物半導體數字記憶微型電路
DLA SMD-5962-98537 REV C-2006 微型電路,帶記憶力,數字型,輻射加固,CMOS/SOI,128K X 8靜態隨機存取存儲器,單塊硅
DLA SMD-5962-90620 REV A-2007 硅單片,2K X 8雙口靜態隨機存取存儲器,氧化物半導體數字記憶微型電路
DLA SMD-5962-99541 REV A-2005 微型電路,帶記憶力,數字型,輻射加固CMOS,256K X8位靜態隨機存取存儲器,單塊硅
DLA SMD-5962-82009 REV K-2005 硅單片64千比特程序可控只讀存儲器,雙極數字記憶微型電路
DLA SMD-5962-82005 REV E-2005 硅單片 65536(8KX8)微伏可擦可編程序只讀存儲器,數字記憶微型電路
DLA SMD-5962-96840 REV A-2005 4 X 32K X 40靜態存儲器多片組件硅單片電路數字記憶微電路
DLA SMD-5962-82007 REV C-2006 硅單片16千比特靜態隨機存取存儲器,金屬氧化物半導體數字記憶微型電路
DLA SMD-5962-89951-1990 硅單片,256 X 4位非易失隨機存取存儲器,金屬氧化物半導體數字記憶微型電路
DLA SMD-5962-89967 REV A-2007 硅單片,寄存的8K X 8位可程序化只讀存儲器,氧化物半導體數字記憶微型電路
DLA SMD-5962-89598 REV R-2006 硅單片,低功率128K X 8靜態隨機存取存儲器,氧化物半導體數字記憶微型電路
DLA SMD-5962-82010 REV G-2005 硅單片65536 X 1比特動態隨機存取存儲器,金屬氧化物半導體數字記憶微型電路
DLA SMD-5962-94585 REV J-2003 128K X 32位電可擦除/可程序化只讀存儲器,數字記憶混合微型電路
DLA SMD-5962-94614 REV E-2003 32K X 32位電可擦除/可程序化只讀存儲器,數字記憶混合微型電路
DLA SMD-5962-03202-2003 硅單片1024 X 8比特雙極可程序化只讀存儲器的數字記憶微型電路
DLA SMD-5962-98615 REV A-2006 微型電路,帶記憶力,數字型,輻射加固CMOS,低壓,128K X 8位靜態隨機存取存儲器,單塊硅
DLA SMD-5962-89575 REV C-2007 硅單片,裝有1K X 16隨機存取存儲器的運程終端,氧化物半導體數字記憶微型電路
DLA SMD-5962-94557 REV A-1994 硅單片,1MX 8電可擦除可程序化隨機存取存儲器,氧化物半導體數字記憶微型電路
DLA SMD-5962-93235 REV A-2005 硅單片,256K X 8位電可擦可編程序只讀存儲器,數字記憶微型電路
DLA SMD-5962-03203-2003 硅單片1048 X 8比特雙極可程序化只讀存儲器的數字記憶微型電路
DLA SMD-5962-78016 REV G-2005 硅單片8千字節X8微伏可擦可編程序只讀存儲器,數字記憶微型電路
DLA SMD-5962-92322-1993 硅單片,64K X 8位紫外線消除式可程序化只讀存儲器的快速存取,數字記憶微型電路
DLA SMD-5962-81039 REV G-2006 硅單片16千(2048 X 8)比特靜態隨機存取存儲器,金屬氧化物半導體數字記憶微型電路
DLA SMD-5962-93247 REV A-1995 硅單片,電可擦可編程序只讀存儲器,氧化物半導體數字記憶微型電路
DLA SMD-5962-89576 REV C-2007 硅單片,裝有1K X 16隨機存取存儲器的運程終端接口,氧化物半導體數字記憶微型電路
DLA SMD-5962-80012 REV H-2005 硅單片8千字節X8微伏可擦可編程序只讀存儲器,數字記憶微型電路
DLA SMD-5962-82008 REV K-2005 硅單片32千比特程序可控只讀存儲器,肖脫基雙極數字記憶微型電路
DLA SMD-5962-84111 REV E-2004 硅單片262,144比特(32K X 8) 微伏可擦可編程序只讀存儲器,數字記憶微型電路
DLA SMD-5962-82025 REV H-2005 硅單片16千 X 8 微伏可消除式可程序化只讀存儲器,數字記憶微型電路
DLA SMD-5962-88594 REV C-2006 硅單片256 X 4靜態記憶體復位互補型金屬氧化物半導體數字存儲微電路
DLA SMD-5962-90594 REV A-1995 硅單片,裝有透明寫入式及獨立I/O分址的16K X 4靜態隨機存取存儲器,數字記憶微型電路
DLA SMD-5962-90664-1992 硅單片,裝有透明寫入式及獨立I/O分址的64K X 4靜態隨機存取存儲器,數字記憶微型電路
DLA SMD-5962-89815 REV B-2007 硅單片,2K X 8寄存的紫外線消除式可程序化只讀存儲器,氧化物半導體數字記憶微型電路
DLA SMD-5962-89790-1992 硅單片,裝有獨立式 I/O定址的4K X 4靜態隨機存取存儲器,氧化物半導體數字記憶微型電路
DLA SMD-5962-96877 REV C-2006 互補金屬氧化物半導體,128K X 8靜態隨機存儲器,硅單片電路數字記憶微電路
DLA SMD-5962-92316 REV D-2006 硅單片,裝有獨立I/O分址的1M X 1靜態隨機存取存儲器,氧化物半導體數字記憶微型電路
DLA SMD-5962-89590 REV A-1994 硅單片,512 X 8位串聯式電可擦除只讀存儲器,氧化物半導體數字記憶微型電路
DLA SMD-5962-89667 REV A-1994 硅單片,2048 X 8串聯電可擦除只讀存儲器,,氧化物半導體高速數字記憶微型電路
DLA SMD-5962-93123-1993 硅單片,2K X 16狀態機可程序化只讀存儲器,氧化物半導體數字記憶微型電路
DLA SMD-5962-03250 REV B-2006 硅單片18千獨立靜態隨機存取存儲器40000柵,現場可編程柵陣列氧化物半導體數字記憶微型電路
DLA SMD-5962-89935 REV B-2007 硅單片,裝有獨立I/O分址的64K X 4靜態隨機存取存儲器,高速氧化物半導體數字記憶微型電路
DLA SMD-5962-04227 REV B-2005 多芯片模塊雙電壓耐輻射靜態隨機存取存儲器,512千 X 32比特,氧化物半導體數字記憶微型電路
DLA SMD-5962-03235 REV A-2004 512千 X 8比特硅單片耐輻射靜態隨機存儲器氧化物半導體數字記憶微型電路

韓國科技標準局，關于記憶儲存的標準

KS A ISO 12234-1:2011 電子式靜止影像圖像.移動式記憶裝置.第1部分:基本移動式存儲模塊
KS A ISO 12234-1:2016 電子式靜止影像圖像移動式記憶裝置第1部分：基本移動式存儲模塊

澳大利亞/新西蘭標準，關于記憶儲存的標準

AS/NZS 1015:2011 記錄管理物理存儲

美國國家消防協會，關于記憶儲存的標準

NFPA FPH SECTION 6-25-2003 記錄的存儲和處理

GB-REG，關于記憶儲存的標準

REG 36 CFR PART 1232-2011 將記錄轉移到記錄存儲設施

(美國)軍事條例和規范，關于記憶儲存的標準

ARMY MIL-H-2987 B-1975 遮避快閃記憶體
ARMY MIL-H-2987 B NOTICE 1-1997 遮避快閃記憶體
ARMY MIL-C-70490 NOTICE 1-1995 電路板組裝記憶

澳大利亞標準協會，關于記憶儲存的標準

AS 4390.6:1996 記錄管理第6部分：存儲