測量單晶半導體的電阻率、霍爾系數及霍爾遷移率的試驗方法

本專題涉及測量單晶半導體的電阻率、霍爾系數及霍爾遷移率的試驗方法的標準有9條。

國際標準分類中，測量單晶半導體的電阻率、霍爾系數及霍爾遷移率的試驗方法涉及到半導體材料。

在中國標準分類中，測量單晶半導體的電阻率、霍爾系數及霍爾遷移率的試驗方法涉及到半導體二極管、半導體分立器件綜合。

美國材料與試驗協會，關于測量單晶半導體的電阻率、霍爾系數及霍爾遷移率的試驗方法的標準

• ASTM F76-08(2016) 測量單晶半導體電阻率和霍爾系數及測定霍爾遷移率的標準試驗方法
• ASTM F76-08(2016)e1 測量單晶半導體電阻率和霍爾系數及測定霍爾遷移率的標準試驗方法
• ASTM F76-08 測量單晶半導體電阻率和霍爾系數及測定霍爾遷移率的標準試驗方法
• ASTM F76-2008 測量單晶半導體的電阻率、霍爾系數及霍爾遷移率的試驗方法
• ASTM F76-2008(2016) 測量電阻率和霍爾系數和測定單晶半導體中霍爾遷移率的標準試驗方法
• ASTM F76-86(1996)e1 測量單晶半導體電阻率和霍爾系數及測定霍爾遷移率的標準試驗方法
• ASTM F76-86(2002) 測量單晶半導體電阻率和霍爾系數及測定霍爾遷移率的標準試驗方法
• ASTM F76-1986(1996)e1 測量單晶半導體的電阻率、霍爾系數及霍爾遷移率的試驗方法
• ASTM F76-1986(2002) 測量單晶半導體的電阻率、霍爾系數及霍爾遷移率的試驗方法

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