以硅片作襯底, MOCVD技術異質外延方法制造GaAs電池是降用低成本很有希望的方法。已研究的砷化鎵系列太陽電池有單晶砷化鎵,多晶砷化鎵,鎵鋁砷--砷化鎵異質結,金屬-半導體砷化鎵,金屬--絕緣體--半導體砷化鎵太陽電池等。 砷化鎵材料的制備類似硅半導體材料的制備,有晶體生長法,直接拉制法,氣相生長法,液相外延法等。由于鎵比較稀缺,砷有毒,制造成本高,此種太陽電池的發展受到影響。...
而薄膜電池量產的轉換效率為10%左右。 除了常用的單晶、多晶、非晶硅電池之外,多元化合物太陽電池指不是用單一元素半導體材料制成的太陽電池。各國研究的品種繁多,大多數尚未工業化生產,主要有以下幾種: a)硫化鎘太陽能電池 b)砷化鎵太陽能電池 c) 銅銦硒太陽能電池(新型多元帶隙梯度Cu(In, Ga)Se2薄膜太陽能電池)...
相關內容包括:晶體硅太陽電池整線成套裝備集成技術,效率10%以上年產能40MW硅基薄膜太陽電池制造技術,效率10%以上年產能30MW碲化鎘薄膜太陽電池制造技術,效率8%以上年產能5MW染料敏化太陽電池制造技術,薄膜硅/晶體硅異質結電池中試制造技術,硅基高可靠BIPV系列組件制造裝備技術等。 問:為保障《規劃》的順利實施,配套措施應從哪些方面考慮? ...
(IEC61646:2008對薄膜組件的定義為“During this process,the irradiance shall not change by more than±2%,薄膜的試驗條件同晶體硅不太一樣。)...
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