GB 13539.4-1992
低壓熔斷器 半導體器件保護用熔斷體的補充要求
Low-voltage fuses Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices
2006-04
- 標準號
- GB 13539.4-1992
- 發布
- 1992年
- 發布單位
- 國家質檢總局
- 替代標準
- GB/T 13539.4-2005
- 當前最新
- GB/T 13539.4-2016
- 適用范圍
- 本標準規定了半導體器件保護用熔斷體的額定值、正常使用下的溫升、耗散功率、時間-電流特性、分斷能力、截斷電流特性、I2t特性、電弧電壓特性、試驗和標志。 本標準適用于交流額定電壓不超過1200V或直流額定電壓不超過1500V的電路中具有半導體器件的設備上使用的熔斷體。 注：①在多數情況下，以組合設備的一部分作為熔斷體的底座。由于設備種類繁多，難以作出一般的規定。組合設備是否適合用作熔斷體的底座，應由用戶與制造廠協商。但是，當采用獨立的熔斷器底座或支持件時，則它們應符合GB13539.1的有關規定。 ②這種熔斷體通常稱為“半導體熔斷體”。
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