GB/T 13539.4-2016
低壓熔斷器 第4部分:半導體設備保護用熔斷體的補充要求

Low-voltage fuses.Part 4:Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices

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標準號

GB/T 13539.4-2016

發布

2016年

發布單位

國家質檢總局

當前最新

GB/T 13539.4-2016

 

 

引用標準

GB 13539.1-2015 GB 13539.3-2008 GB/T 13539.2-2015 GB/T 321-2005 GB/T 5465.2-2008

被代替標準

GB/T 13539.4-2009

適用范圍

本部分的補充要求適用于安裝在具有半導體裝置的設備上的熔斷體，該熔斷體適用于標稱電壓不超過交流1 000 V或直流1 500 V的電路。如適用，還可用于更高的標稱電壓的電路。 本部分的目的是確定半導體熔斷體的特性，從而在相同尺寸的前提下，可以用具有相同特性的其他型式的熔斷體替換半導體熔斷體。因此，本部分中特別規定了： a)熔斷體的下列特性： 1)額定值； 2)正常工作時的溫升； 3)耗散功率； 4)時間-電流特性； 5)分斷能力； 6)截斷電流特性和I²t特性； 7)電弧電壓特性。 b)驗證熔斷體特性的型式試驗； c)熔斷體標志； d)應提供的技術數據（見附錄BB）。

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