懸浮區熔法的熔體不與容器接觸,用此法生長高純硅單晶。水平區熔法用以生產鍺單晶。水平定向結晶法主要用于制備砷化鎵單晶,而垂直定向結晶法用于制備碲化鎘、砷化鎵。用各種方法生產的體單晶再經過晶體定向、滾磨、作參考面、切片、磨片、倒角、拋光、腐蝕、清洗、檢測、封裝等全部或部分工序以提供相應的晶片。在單晶襯底上生長單晶薄膜稱為外延。外延的方法有氣相、液相、固相、分子束外延等。...
懸浮區熔法的熔體不與容器接觸,用此法生長高純硅單晶。水平區熔法用以生產鍺單晶。水平定向結晶法主要用于制備砷化鎵單晶,而垂直定向結晶法用于制備碲化鎘、砷化鎵。用各種方法生產的體單晶再經過晶體定向、滾磨、作參考面、切片、磨片、倒角、拋光、腐蝕、清洗、檢測、封裝等全部或部分工序以提供相應的晶片。在單晶襯底上生長單晶薄膜稱為外延。外延的方法有氣相、液相、固相、分子束外延等。...
懸浮區熔法的熔體不與容器接觸,用此法生長高純硅單晶。水平區熔法用以生產鍺單晶。水平定向結晶法主要用于制備砷化鎵單晶,而垂直定向結晶法用于制備碲化鎘、砷化鎵。用各種方法生產的體單晶再經過晶體定向、滾磨、作參考面、切片、磨片、倒角、拋光、腐蝕、清洗、檢測、封裝等全部或部分工序以提供相應的晶片。...
而 HBT 組件在相位噪聲,高 gm、高功率密度、崩潰電壓與線性度上占優勢,另外它可以單電源操作,因而簡化電路設計及次系統實現的難度,十分適合于射頻及中頻收發模塊的研制,特別是微波信號源與高線性放大器等電路。? 砷化鎵生產方式和傳統的硅晶圓生產方式大不相同,砷化鎵需要采用磊晶技術制造,這種磊晶圓的直徑通常為 4-6 英寸,比硅晶圓的 12 英寸要小得多。...
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