盡管它們是使用不同的模式(MS/MS和質量轉移)和反應氣體獲得的,但均表現出良好的線性。截距表示該特定樣品中污染物的水平。圖1:采用MSA獲得的2000ppm Si (P為1500ppm Si)校準曲線示例結論NexION 5000多重四極桿ICP-MS性能穩定,適合對高濃度硅基質中ppt級的超痕量雜質進行常規定量分析,符合半導體和太陽能行業的要求。...
分會場 2:化學檢測分析分會場時間:10 月 17 日 9:15-9:30演講主題:ICP-MS/MS?測定高純金屬中的痕量磷、硫、硅?講師:郭偉?安捷倫 ICP-MS 應用工程師內容摘要:Agilent 8800/8900 串聯四極桿 ICP-MS/MS 通過第一級四級桿 1 個質量數的精準篩選和碰撞反應池中可控的化學反應,有效、可靠地消除了多原子干擾,進而實現對痕量元素 P、S 和 Si 的準確測定...
其中最重要的是鹽酸(HCl),其主要用途是與過氧化氫和水配制成混合物用來清潔硅晶片的表面。由于半導體設備尺寸不斷縮小,其生產中使用的試劑純度變得越來越重要。ICP-MS具備精確測定納克/升(ng/L,ppt)甚至更低濃度元素含量的能力,是最適合測量痕量及超痕量金屬的技術。然而,常規的測定條件下,氬、氧、氫離子會與酸基體相結合,對待測元素產生多原子離子干擾。...
由于半導體設備尺寸不斷縮小,其生產中使用的試劑純度變得越來越重要。ICP-MS具備精確測定納克/升(ng/L,ppt)甚至更低濃度元素含量的能力,是最適合測量痕量及超痕量金屬的技術。然而,常規的測定條件下,氬、氧、氫離子會與酸基體相結合,對待測元素產生多原子離子干擾。如,對V+(51) 進行檢測時去除 ClO+?的干擾。...
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