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GB/T 11297.7-1989
銻化銦單晶電阻率及霍耳系數的測試方法

Test method for resistivity and Hall coefficient in InSb single crystals

GBT11297.7-1989, GB11297.7-1989

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標準號: GB/T 11297.7-1989
別名: GBT11297.7-1989, GB11297.7-1989
發布: 1989年
總頁數: 23頁
發布單位: 國家質檢總局
當前最新: GB/T 11297.7-1989

適用范圍: 本方法適用于長方體和薄片銻化銦單晶樣品的電阻率和霍耳系數的測量。本方法所采用的樣品是從銻化銦單晶中切割制備的，在特定位置上施加電極接觸，用直流方法測量樣品的電阻率和霍耳系數，而后計算該樣品的載流子濃度和載流子遷移率。本方法適用于電阻率10^-3～10²Ω·cm的銻化銦單晶樣品。

銻化銦單晶 InSb Single Crystal	一種半導體材料，用于測試電阻率和霍耳系數。
電阻率 Resistivity	材料中電流流動時的阻力大小。
霍耳系數 Hall Coefficient	描述材料在磁場中橫向電壓變化的物理量。

GB/T 11297.7-1989 中提到的儀器設備

磁鐵經過標定，磁場均勻性優于±1%	用于提供穩定和均勻的磁場環境。
恒流源電流穩定度優于±0.5%	為樣品提供穩定的測試電流。
數字電壓表靈敏度1μV，精度優于±0.5%	用于測量微小電壓信號。

專題

測試電路電阻率測量電阻率測量測量銻化銦樣品薄片載流子遷移率電阻率樣品

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