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將晶圓承載臺放在一個不同的場壓下,使得氬原子直接轟擊晶圓,來完成刻蝕和清潔。這種工藝程序稱為濺射刻蝕(spuuter etch)反濺射(reverse sputter)或離子銑(ionmiing)。它可清除品圓上的污染物和一層薄的膜清除污染物提高了已暴露晶圓區域與薄膜之間的電連接,同時提高了薄膜對晶圓表面其他部分的黏度。...
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