例如，使用更高介電材料（如二氧化鉿）以及氮化電介質（如氮化鋁）。4低損傷在電子工業中，氮化鎵與其他半導體相比是加工敏感性最高的材料之一。幸運的是，遠程可控等離子ALD技術對氮化鎵造成的損耗很低。優化工藝條件以及限制離子能量和通量能夠使界面和薄膜產生較低的缺陷密度，與此同時，活性反應組分密度和通量足以生長高質量的膜層材料，并具備量產能力。...
但是有了合適的電荷，在柵下面區域感應出電荷，這樣允許在源漏之間流過電流。氧化層起到介電質的功能，它的厚度是專門選定的，用來讓氧化層下面柵極區產生感應電荷。柵極是器件中控制電流的部分。大規模集成電路(ULSI)中占主導地位的MOS技術，使得柵極的形成成為工藝發展中關注的焦點。通常還有其他介質材料淀積在柵區的薄氧化層上。...
Nat Commun (2023)?? 摘要單晶高κ介電材料是未來二維(2D)電子器件發展的理想材料。然而，目前的二維柵極介電層仍面臨挑戰，包括介電常數較小、難以獲得自支撐可轉移的超薄薄膜等。本文證明了化學氣相沉積(CVD)生長的超薄Bi2SiO5晶體可以作為2D半導體的優良柵極介電層，具有高介電常數(>30)和大帶隙(~3.8 eV)。...
一、主要用途：適用于新材料評估的特性:1、用于陶瓷元件的絶縁劣化試驗2、貼片電容的IR測量3、MLCC（多層陶瓷電容器）的絕緣測量4、光伏電池薄膜的絕緣測量5、噪音濾波器的絕緣（高阻）測量6、液晶設備的絕緣測量7、涂層（涂料）的表面電阻率測量8、外殼的帶電度的測量9、二極管的微笑泄漏電流測量10、光電耦合器的初級/次級絕緣（高電阻）測量11、打印機墨粉輥軸的絕緣測量12、用于針對半導體廠家的絕緣密封件的評估試驗...
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