3、連續打拿極電子倍增器連續打拿極電子倍增器是由兩塊涂上高電阻膜的平行玻璃或者由半導體材料涂于細管的內壁制成,它的外形像喇叭。在倍增器的兩端加上電壓,由離子轟擊打拿極后逸出的二次電子在電場中做擺線運動,每次與電極相碰都能發射出更多的電子而達到鏈式反應的目的。這種倍增器在易清洗以及對暴露大氣不敏感方面明顯優于鈹-銅合金的級聯式電子倍增器。...
Materials Today Physics (2022)摘要鐵基超導體因其突出的高場特性,在高功率應用方面具有巨大的潛力。提高鐵基超導線臨界電流密度的關鍵是明確晶界在超電流輸運中的作用和局限性。我們通過在較寬范圍 (0.25≤x≤0.598)摻雜Ba1-xKxFe2As2超導體,實現了對晶界電性的細致調整。...
側向擴散MOS晶體管的發展產生了兩個新的要求:低摻雜濃度控制和超淺結。高效MOS晶體管要求柵區的摻雜濃度小于1015原子/cm2。然而,擴散工藝很難實現這一級別上的一致性。為了實現高封裝密度而按比例縮小的晶體管,也需要源漏區的淺的結深。結深已經不斷地減小,預計在2016年達到亞10nm的結。第4個問題由摻雜區的物理或數學特性引出。雜質原子的大部分靠近晶圓表面。...
Copyright ?2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP備07018254號 京公網安備1101085018 電信與信息服務業務經營許可證:京ICP證110310號