QJ 10005-2008
宇航用半導體器件重離子單粒子效應試驗指南
Test guidelines of single event effects induced by heavy ions of semiconductor devices for space applications
- 標準號
- QJ 10005-2008
- 發布
- 2008年
- 發布單位
- 行業標準-航天
- 當前最新
- QJ 10005-2008
- 引用標準
- GB 4792-1984 GJB 1649-1993 GJB 2712-1996 GJB 3756-1999
- 本指導性技術文件給出了宇航用半導體器件（以下簡稱器件）重離子輻照引起的單粒子效應的試驗指南，包括試驗要求、試驗方法和試驗程序。 本指導性技術文件適用的單粒子效應包括單粒子翻轉、單粒子鎖定、單粒子擾動等。不包括功率MOS器件的單粒子燒毀。本指導性技術文件中的半導體器件包括半導體集成電路和半導體分立器件。
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