ASTM E827-08 對奧格電子光譜法的基本識別方法標準

適用范圍: 俄歇分析用于確定樣品表面前幾個原子層（通常厚度為 1 至 5 nm）的元素組成。與惰性氣體離子濺射結合，它用于確定幾微米深度的濺射深度分布。樣品通常是固體導體、半導體或絕緣體。對于絕緣體，可能需要采取措施來控制表面的電荷積累（參見指南 E 1523）。典型應用包括分析金屬或合金基材上的表面污染物、薄膜沉積物或隔離覆蓋層。樣品的形貌可能會有所不同，從光滑、拋光的樣品到粗糙的斷裂表面。對具有在俄歇室超高真空環境中蒸發的揮發性物質的樣品以及易受電子或 X 射線束損傷的物質（例如有機化合物）的俄歇分析可能需要本文未涵蓋的特殊技術。（參見指南 E 983。） 1.1 本實踐概述了使用傳統電子能譜儀獲得的給定俄歇光譜中識別元素的必要步驟。考慮顯示為電子能量分布（直接光譜）或電子能量分布的一階導數的光譜。
1.2 本實踐適用于通過電子或 X 射線轟擊樣品表面產生的俄歇光譜，并且可以擴展到通過其他方法（例如離子轟擊）產生的光譜。
1.3 以 SI 單位表示的值應被視為標準值。本標準不包含其他計量單位。
1.4 本標準并不旨在解決與其使用相關的所有安全問題（如果有）。本標準的使用者有責任在使用前建立適當的安全和健康實踐并確定監管限制的適用性。

ASTM E827-08
對奧格電子光譜法的基本識別方法