ASTM E1250-88(2005)
硅電子器件輻射強度試驗用鈷60輻射源的低能γ成分評估的電離箱的應用的標準試驗方法

Standard Test Method for Application of Ionization Chambers to Assess the Low Energy Gamma Component of Cobalt-60 Irradiators Used in Radiation-Hardness Testing of Silicon Electronic Devices

被代替

標準號

ASTM E1250-88(2005)

發布

1988年

發布單位

美國材料與試驗協會

替代標準

ASTM E1250-10

當前最新

ASTM E1250-15(2020)

 

 

適用范圍

盡管 Co-60 核僅發射 1.17 和 1.33 MeV 的單能伽馬射線，但源的有限厚度以及不可避免地存在于輻照器中的封裝材料和其他周圍結構可以貢獻大量的低能伽馬輻射，主要由康普頓散射 (1, 2).3 在電子設備的輻射硬度測試中，伽馬能譜的這種低能光子分量可能會給被測設備帶來顯著的劑量測定誤差，因為劑量計測量的平衡吸收劑量可能會有很大差異由于吸收劑量增強效應，來自被測設備中沉積的吸收劑量 (3, 4)。吸收劑量增強效應是指異種材料邊界附近的非平衡電子傳輸引起的與平衡吸收劑量的偏差。該方法中描述的電離室技術提供了一種簡單的方法來估計任何給定輻照器類型和配置的低能光子分量的重要性。當特定輻照器配置中存在明顯的低能光譜成分時，應使用特殊的實驗技術來確保劑量測定充分代表被測設備中的吸收劑量。 （參見實踐 E 1249。） 1.1 Co-60 輻照器光子能譜中的低能成分會導致硅電子器件輻射硬度測試中吸收劑量增強效應。這些低能量成分可能會導致確定特定被測設備吸收劑量時出現錯誤。該方法涵蓋使用專門的電離室來確定此類效應的相對重要性的品質因數的程序。它還給出了組裝該室的設計和說明。
1.2 該方法適用于 Co-60 輻射場中的測量，其中暴露速率范圍為 7 10 6 至 3 102 C kg 1 s1（大約 100 R/h 至 100 R/h） R/s）。有關將此方法應用于曝光率 >100 R/s 的輻射場的指導，請參閱。注1 暴露及其單位的定義參見術語E 170。
1.3 以SI 單位表示的值應被視為標準。括號中給出的值僅供參考。本標準并不旨在解決與其使用相關的所有安全問題（如果有）。本標準的使用者有責任在使用前建立適當的安全和健康實踐并確定監管限制的適用性。