ASTM F448-99 測量穩態原始光電流的標準試驗方法標準

適用范圍: 1.1 本測試方法涵蓋了半導體器件暴露于電離輻射時產生的穩態初級光電流 Ipp 的測量。這些程序旨在測量大于 10-9 As/Gy（Si 或 Ge）的光電流，此時被測器件的弛豫時間小于電離源脈沖寬度的 25%。這些程序對于高達 108Gy（Si 或 Ge）/s 的電離劑量率的有效性已經得到證實。該程序可用于高達 1010Gy（Si 或 Ge）/s 的劑量率測量；然而，必須格外小心。高于 108Gy/s 時，封裝響應可能會主導互補金屬氧化物半導體 (CMOS)/藍寶石硅 (SOS) 等技術的器件響應。測量 10-9 As/Gy（Si 或 Ge）或更低的光電流時，還需要采取額外的預防措施。
1.2 本測試方法還包括設置、校準和測試電路評估程序。
1.3 由于設備類型之間和不同應用的要求存在差異，本測試方法中沒有給出任何具體測試的劑量率范圍，但必須單獨規定。
1.4 以國際單位制（SI）規定的數值為標準。本標準不包含其他計量單位。
1.5 本標準并不旨在解決與其使用相關的所有安全問題（如果有）。本標準的使用者有責任在使用前建立適當的安全和健康實踐并確定監管限制的適用性。

ASTM F448-99
測量穩態原始光電流的標準試驗方法