ASTM F528-99(2005)
結型晶體管共射極直流增益測量的標準試驗方法

Standard Test Method of Measurement of Common-Emitter D-C Current Gain of Junction Transistors

作廢

標準號

ASTM F528-99(2005)

發布

1999年

發布單位

美國材料與試驗協會

當前最新

ASTM F528-99(2005)

 

 

適用范圍

晶體管的電流增益是其工作的基礎，也是其最重要的參數。電離輻射，即核爆引起的伽馬輻射，會由于大塊材料的壽命損壞而降低電流增益。在電離輻射爆發之后，增益的下降將立即達到最大，并且增益將迅速恢復到準穩態值。缺陷退火可能會持續數周，但通常當前的增益恢復很小或可以忽略不計。該方法提供了不需要專用測試設備的程序。該方法適用于規范驗收、服務評估或制造控制。
1.1 該測試方法涵蓋雙極晶體管共發射極直流電流增益（正向，hFE 或反向，hFEI）的測量，其中集電極 -發射極漏電流 ICEO 小于要進行測量的集電極電流 IC 的 10%，并且基極電路中的分流漏電流小于所需基極電流的 10%。
1.2 本測試方法適用于在測試晶體管集電極電流的單個給定值或在給定的集電極電流范圍內（例如在待測晶體管的范圍內）測量共發射極直流電流增益。
1.2.1 三個測試電路的集電極電流標稱范圍如下：
1.2.1.1 電路 1，小于 100 μA， 1.2.1.2 電路 2，100 μA 以上至 100 mA，以及 1.2.1.3 電路 3，大于 100 mA。
1.3 該測試方法包含一些測試，以確定晶體管中的功耗是否足夠低，以致結點溫度與環境溫度大致相同。
1.4 國際單位制（SI）中規定的值應被視為標準值。本標準不包含其他計量單位。
1.5 本標準無意解決與其使用相關的安全問題（如果有）。使用本標準的任何人都有責任在使用前咨詢和建立適當的安全和健康實踐，并確定監管限制的適用性。

ASTM F528-99(2005)相似標準

推薦