ASTM E1249-00
使用Co-60源的硅電子設備的輻射硬性試驗的最小劑量測定錯誤標準規程

Standard Practice for Minimizing Dosimetry Errors in Radiation Hardness Testing of Silicon Electronic Devices Using Co-60 Sources

被代替

標準號

ASTM E1249-00

發布

2000年

發布單位

美國材料與試驗協會

替代標準

ASTM E1249-00(2005)

當前最新

ASTM E1249-15(2021)

 

 

適用范圍

1.1 本實踐涵蓋了使用劑量計（例如熱釋光劑量計（TLD））的推薦程序，以確定使用 Co-60 源輻照的電子設備內感興趣區域的吸收劑量。 Co-60 源通常用于硅電子器件的吸收劑量測試。注 1：這種吸收劑量測試有時稱為“總劑量測試”，以區別于“劑量率測試”。注2——電離輻射對某些類型電子設備的影響可能取決于吸收劑量和吸收劑量率；也就是說，如果設備在不同吸收劑量率下受到相同吸收劑量水平的照射，效果可能會不同。本實踐中不包括吸收劑量率的影響，但在輻射硬度測試中應考慮吸收劑量率的影響。
1.2 電子設備吸收劑量測量的主要潛在誤差是由材料界面附近的非平衡能量沉積效應引起的。
1.3 給出了有關材料界面附近吸收劑量增強效應的信息。強調了這種效應對 Co-60 光子能譜中低能成分的敏感性。
1.4 對典型的 Co-60 源進行了簡要描述，特別強調了此類源輸出的光子能譜中存在低能成分。
1.5 給出了使用過濾最小化來自 Co-60 源的光子能譜的低能成分的程序。建議使用過濾箱來實現此類過濾。
1.6 給出了吸收劑量增強效應的信息，該效應取決于設備相對于 Co-60 源的方向。
1.7 使用光譜過濾和適當的設備方向提供了一個輻射環境，可以在規定的誤差限度內計算電子設備敏感區域的吸收劑量，而無需詳細了解設備結構或源的光子能譜，因此，不知道吸收劑量增強效應的細節。
1.8 本實踐的建議主要適用于電子設備的零件測試。電子電路板和電子系統測試可能會引入此處推薦的方法無法充分解決的問題。
1.9 本標準并不旨在解決與其使用相關的所有安全問題（如果有）。本標準的使用者有責任在使用前建立適當的安全和健康實踐并確定監管限制的適用性。

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