S-表示已在日本電子工業協會JEIA注冊登記的半導體分立器件。第三部分:用字母表示器件使用材料極性和類型。A-PNP型高頻管、B-PNP型低頻管、C-NPN型高頻管、D-NPN型低頻管、F-P控制極可控硅、G-N控制極可控硅、H-N基極單結晶體管、J-P溝道場效應管、K-N 溝道場效應管、M-雙向可控硅。第四部分:用數字表示在日本電子工業協會JEIA登記的順序號。...
今年發布的《國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和2035年遠景目標綱要》將“集成電路先進工藝和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)等特色工藝突破”、“碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導體發展”寫入了“科技前沿領域攻關”部分。?...
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