S-表示已在日本電子工業協會JEIA注冊登記的半導體分立器件。第三部分:用字母表示器件使用材料極性和類型。A-PNP型高頻管、B-PNP型低頻管、C-NPN型高頻管、D-NPN型低頻管、F-P控制極可控硅、G-N控制極可控硅、H-N基極單結晶體管、J-P溝道場效應管、K-N 溝道場效應管、M-雙向可控硅。第四部分:用數字表示在日本電子工業協會JEIA登記的順序號。...
兩位以上的整數-從“11”開始,表示在日本電子工業協會JEIA登記的順序號;不同公司的性能相同的器件可以使用同一順序號;數字越大,越是最新產品。第五部分:用字母表示同一型號的改進型產品標志。A、B、C、D、E、F表示這一器件是原型號產品的改進產品。美國半導體分立器件型號命名方法美國晶體管或其他半導體器件的命名法較混亂。美國電子工業協會半導體分立器件命名方法如下:第一部分:用符號表示器件用途的類型。...
一、功率半導體類型及區別功率半導體根據器件集成度不同,功率半導體可以分為功率 IC 和功率分立器件兩大類。功率分立器件包括二極管、晶體管、晶閘管三大類別,其中晶體管是分立器件中市場份額最大的種類。...
上述這些優異的物理特性,決定了碳化硅在高溫、高頻率、高功率的應用場合是極為理想的半導體材料。在同樣的耐壓和電流條件下,SiC器件的漂移區電阻要比硅低200倍,即使高耐壓的SiC場效應管的導通壓降,也比單極型、雙極型硅器件的低得多。而且,SiC器件的開關時間可達10nS量級,并具有十分優越的FBSOA。...
Copyright ?2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP備07018254號 京公網安備1101085018 電信與信息服務業務經營許可證:京ICP證110310號