氮化鎵(GaN)是一種寬禁帶半導體,第三代半導體的典型代表。與第一代半導體硅基的器件相比,GaN器件具有更高耐壓、更快開關頻率、更小導通電阻等特性,在功率電子器件領域得到廣泛應用。相關研究顯示,GaN器件適用于68%的功率器件市場;在功率轉換電路中應用GaN器件可消除整流器在進行交直流轉換時90...
? 掃碼下載技術文章 ?SSRM AFM,用于半導體失效分析的最佳選擇? Park NX-Hivac上提供的高真空掃描擴展電阻顯微鏡(SSRM),可實現新一代設備的2D載體輪廓分析,并在高真空條件下測量高分辨率SSRM圖像,以提高產品良率。高真空SSRM測量顯示出比一般環境條件下更高的精度和分辨率...
利用快速、可再現的數據最大限度地提高半導體實驗室分析 S/TEM 工作流程的效率和生產率失效分析實驗室正面臨著越來越大的壓力,樣品制備和表征需要滿足快速和可重復性的特點,才可加快上市速度并提升樣品良率。傳統透射電子顯微鏡 (TEM) 技術的與生俱來的數據變異性,比如圖像失真等,會導致數據的可信度降低...
展會名稱:2024中國(上海)國際半導體展覽會英文名稱:China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展會時間:2024年11月18-20日?論壇時間:2024年11月18-19日?展會地點:上海新...
Copyright ?2007-2025 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP備07018254號 京公網安備1101085018 電信與信息服務業務經營許可證:京ICP證110310號
頁面更新時間: 2025-03-19 15:14